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IPB80N06S2L06ATMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPB80N06S2L06ATMA1TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPB80N06S2L06ATMA1 |
Description | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 55 V 80 A (Tc) 250W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 150 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3800 pF @ 25 V |
Conditionnement Bande et bobine | Dissipation de puissance (max.) 250W (Tc) |
Statut du composant En fin de cycle chez DigiKey | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de FET | Grade Automobile |
Technologies | Qualification AEC-Q101 |
Tension drain-source (Vdss) 55 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur PG-TO263-3-2 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 6mohms à 69A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 2V à 180µA |
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Substituts (8)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB80N06S2L06ATMA2 | Infineon Technologies | 1 | IPB80N06S2L06ATMA2CT-ND | 6,39000 $ | Direct |
| BUK966R5-60E,118 | Nexperia USA Inc. | 5 394 | 1727-7263-1-ND | 4,96000 $ | Similaire |
| FDB070AN06A0 | onsemi | 1 570 | FDB070AN06A0CT-ND | 7,18000 $ | Similaire |
| NP110N055PUK-E1-AY | Renesas Electronics Corporation | 269 | 559-NP110N055PUK-E1-AYCT-ND | 9,13000 $ | Similaire |
| PSMN7R6-60BS,118 | Nexperia USA Inc. | 152 | 1727-7215-1-ND | 3,96000 $ | Similaire |
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