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IPB80N06S2H5ATMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPB80N06S2H5ATMA1TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPB80N06S2H5ATMA1 |
Description | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 55 V 80 A (Tc) 300W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 155 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4400 pF @ 25 V |
Conditionnement Bande et bobine | Dissipation de puissance (max.) 300W (Tc) |
Statut du composant En fin de cycle chez DigiKey | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de FET | Grade Automobile |
Technologies | Qualification AEC-Q101 |
Tension drain-source (Vdss) 55 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur PG-TO263-3-2 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 5,2mohms à 80A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 230µA |
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Substituts (10)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB80N06S2H5ATMA2 | Infineon Technologies | 0 | IPB80N06S2H5ATMA2CT-ND | 8,61000 $ | Direct |
| STB140NF55T4 | STMicroelectronics | 1 494 | 497-4321-1-ND | 5,66000 $ | Direct |
| STB80NF55-06T4 | STMicroelectronics | 1 390 | 497-6558-1-ND | 5,77000 $ | Direct |
| STB85NF55T4 | STMicroelectronics | 447 | 497-19647-1-ND | 5,33000 $ | Direct |
| IXFA230N075T2 | IXYS | 0 | IXFA230N075T2-ND | 7,40027 $ | Similaire |
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