Name: IPB70N10S312ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB70N10S312ATMA2TR-ND
Price: 1.91152 CAD
Availability: OutOfStock

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IPB70N10S312ATMA2
Numéro de produit DigiKey	448-IPB70N10S312ATMA2TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPB70N10S312ATMA2
Description	MOSFET_(75V 120V(
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	9 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 70 A (Tc) 125W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPB70N10S312ATMA2 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	70 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	11,6mohms à 70A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 83µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	66 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4355 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	125W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TO263-3-2
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB

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Bande et bobine