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IPB65R225C7ATMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPB65R225C7ATMA1TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPB65R225C7ATMA1 |
Description | MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 11 A (Tc) 63W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 240µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 20 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 996 pF @ 400 V |
Statut du composant En fin de cycle chez DigiKey | Dissipation de puissance (max.) 63W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur PG-TO263-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 225mohms à 4,8A, 10V |
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Substituts (2)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB60R120P7ATMA1 | Infineon Technologies | 1 031 | IPB60R120P7ATMA1CT-ND | 7,44000 $ | Direct |
| STB18N60M2 | STMicroelectronics | 605 | 497-13933-1-ND | 5,01000 $ | Similaire |
En stock: 0
