Name: IPB65R190CFD7AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB65R190CFD7AATMA1TR-ND
Price: 8.31 CAD
Availability: InStock

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IPB65R190CFD7AATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPB65R190CFD7AATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPB65R190CFD7AATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPB65R190CFD7AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPB65R190CFD7AATMA1
Description	MOSFET N-CH 650V 14A TO263-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 14 A (Tc) 77W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPB65R190CFD7AATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 28 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série CoolMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1291 pF @ 400 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 77W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 14 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO263-3
Rds On (max.) à Id, Vgs 190mohms à 6,4A, 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 320µA	Numéro de produit de base IPB65R190