


IPB65R110CFDAATMA1 | |
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Numéro de produit DigiKey | IPB65R110CFDAATMA1TR-ND - Bande et bobine IPB65R110CFDAATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPB65R110CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPB65R110CFDAATMA1 |
Description | MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 17 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 31,2 A (Tc) 277,8W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPB65R110CFDAATMA1 Modèles |
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 118 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3240 pF @ 100 V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Dissipation de puissance (max.) 277,8W (Tc) |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de FET | Grade Automobile |
Technologies | Qualification AEC-Q101 |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur PG-TO263-3 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 110mohms à 12,7 A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 1,3mA |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 10,63000 $ | 10,63 $ |
| 10 | 7,14600 $ | 71,46 $ |
| 100 | 5,17270 $ | 517,27 $ |
| 500 | 4,85402 $ | 2 427,01 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 000 | 4,06180 $ | 4 061,80 $ |
| 2 000 | 3,96570 $ | 7 931,40 $ |







