Name: IPB50R140CPATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB50R140CPATMA1TR-ND
Price: 7.56 CAD
Availability: InStock

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IPB50R140CPATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPB50R140CPATMA1TR-ND - Bande et bobine IPB50R140CPATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPB50R140CPATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPB50R140CPATMA1
Description	MOSFET N-CH 550V 23A TO263-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 550 V 23 A (Tc) 192W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPB50R140CPATMA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 930µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 64 nC @ 10 V
Série CoolMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2540 pF @ 100 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 192W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 550 V	Boîtier fournisseur PG-TO263-3-2
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 23 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPB50R140
Rds On (max.) à Id, Vgs 140mohms à 14A, 10V

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IPB50R140CPATMA1