Name: IPB339N20NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB339N20NM6ATMA1TR-ND
Price: 6.1 CAD
Availability: InStock

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IPB339N20NM6ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPB339N20NM6ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPB339N20NM6ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPB339N20NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPB339N20NM6ATMA1
Description	MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	21 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 6,8A (Ta), 39A (Tc) 3,8W (Ta), 125W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ 6
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6,8A (Ta), 39A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V, 15V
Rds On (max.) à Id, Vgs	31,8mohms à 26A, 15V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 52µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	24 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1600 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,8W (Ta), 125W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TO263-3-2
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB