Name: IPB180N06S4H1ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB180N06S4H1ATMA2TR-ND
Price: 7.61 CAD
Availability: InStock

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IPB180N06S4H1ATMA2
Numéro de produit DigiKey	448-IPB180N06S4H1ATMA2TR-ND - Bande et bobine 448-IPB180N06S4H1ATMA2CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPB180N06S4H1ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPB180N06S4H1ATMA2
Description	MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 180 A (Tc) 250W (Tc) Montage en surface PG-TO263-7
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPB180N06S4H1ATMA2 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 270 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série OptiMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 21900 pF @ 25 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 250W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 180 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO263-7
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-263-7, D2PAK (6 sorties + languette)
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,7mohms à 100A, 10V	Numéro de produit de base IPB180
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 200µA