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IPB065N15N3GE8187ATMA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Équivalent paramétrique
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IPB065N15N3GE8187ATMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPB065N15N3GE8187ATMA1TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPB065N15N3GE8187ATMA1 |
Description | MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 150 V 130 A (Tc) 300W (Tc) Montage en surface PG-TO263-7 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 270µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 93 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7300 pF @ 75 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 300W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 150 V | Boîtier fournisseur PG-TO263-7 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 8V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 6,5mohms à 100A, 10V |
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Substituts (1)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB065N15N3GATMA1 | Infineon Technologies | 4 431 | IPB065N15N3GATMA1CT-ND | 10,86000 $ | Équivalent paramétrique |
Obsolète
