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IPB049NE7N3GATMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPB049NE7N3GATMA1TR-ND - Bande et bobine IPB049NE7N3GATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPB049NE7N3GATMA1 |
Description | MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 75 V 80 A (Tc) 150W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPB049NE7N3GATMA1 Modèles |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,8V à 91µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 68 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4750 pF @ 37.5 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 150W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 75 V | Boîtier fournisseur PG-TO263-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 4,9mohms à 80 A, 10V |
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| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF2907ZSTRLPBF | Infineon Technologies | 8 966 | IRF2907ZSTRLPBFCT-ND | 7,52000 $ | Similaire |
| IRFS3207TRLPBF | Infineon Technologies | 800 | IRFS3207TRLPBFCT-ND | 6,96000 $ | Similaire |
| IRFS3607TRLPBF | Infineon Technologies | 2 248 | IRFS3607TRLPBFCT-ND | 3,45000 $ | Similaire |
| FDB045AN08A0 | onsemi | 265 | FDB045AN08A0CT-ND | 7,78000 $ | Similaire |
| FDB060AN08A0 | onsemi | 2 372 | FDB060AN08A0CT-ND | 7,81000 $ | Similaire |
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Bande coupée (CT)
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 5,98000 $ | 5,98 $ |
| 10 | 3,90700 $ | 39,07 $ |
| 100 | 2,73070 $ | 273,07 $ |
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