Name: IPB048N15N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB048N15N5ATMA1TR-ND
Price: 8.9 CAD
Availability: InStock

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IPB048N15N5ATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPB048N15N5ATMA1TR-ND - Bande et bobine IPB048N15N5ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPB048N15N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPB048N15N5ATMA1
Description	MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	cms-lead-weeks-value
Référence client
Description détaillée	Canal N 150 V 120 A (Tc) 300W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPB048N15N5ATMA1 cms-models

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4,6V à 264µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 100 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7800 pF @ 75 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 300W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 150 V	Boîtier fournisseur PG-TO263-3-2
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 8V, 10V	Numéro de produit de base IPB048
Rds On (max.) à Id, Vgs 4,8mohms à 60A, 10V