IPB034N03LGATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

IPB034N03LGATMA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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IPB034N03LGATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPB034N03LGATMA1TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPB034N03LGATMA1
Description	MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 80 A (Tc) 94W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 250µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 51 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5300 pF @ 15 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 94W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur PG-TO263-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 80 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base IPB034
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,4mohms à 30A, 10V