Name: IPB031N08N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB031N08N5ATMA1TR-ND
Price: 6.31 CAD
Availability: InStock

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IPB031N08N5ATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPB031N08N5ATMA1TR-ND - Bande et bobine IPB031N08N5ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPB031N08N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPB031N08N5ATMA1
Description	MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	35 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 120 A (Tc) 167W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPB031N08N5ATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,8V à 108µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 87 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6240 pF @ 40 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 167W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Boîtier fournisseur PG-TO263-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base IPB031
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,1mohms à 100A, 10V