Name: IPB029N06NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB029N06NF2SATMA1TR-ND
Price: 5.01 CAD
Availability: InStock

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IPB029N06NF2SATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPB029N06NF2SATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPB029N06NF2SATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPB029N06NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPB029N06NF2SATMA1
Description	TRENCH 40<-<100V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	25 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 26A (Ta), 120A (Tc) 3,8W (Ta), 150W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPB029N06NF2SATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,3V à 80µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 102 nC @ 10 V
Série StrongIRFET™2	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4600 pF @ 30 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 3,8W (Ta), 150W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Boîtier fournisseur PG-TO263-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 26A (Ta), 120A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base IPB029
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,9mohms à 70A, 10V

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Documents et supports

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Conditionnement standard du fabricant

IPB029N06NF2SATMA1