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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IPB025N10N3GE8187ATMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPB025N10N3GE8187ATMA1TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPB025N10N3GE8187ATMA1 |
Description | MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 180 A (Tc) 300W (Tc) Montage en surface PG-TO263-7 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 275µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 206 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 14800 pF @ 50 V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Dissipation de puissance (max.) 300W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 100 V | Boîtier fournisseur PG-TO263-7 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,5mohms à 100A, 10V |
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Substituts (1)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB025N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | 7 371 | IPB025N10N3GATMA1CT-ND | 10,95000 $ | Équivalent paramétrique |
Disponible sur commande
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 000 | 5,02781 $ | 5 027,81 $ |
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