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IPAN80R360P7XKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPAN80R360P7XKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPAN80R360P7XKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 800V 13A TO220 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 24 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 800 V 13 A (Tc) 30W (Tc) Trou traversant PG-TO220-FP |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPAN80R360P7XKSA1 Modèles |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 280µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 30 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 930 pF @ 500 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 30W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 800 V | Boîtier fournisseur PG-TO220-FP |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 360mohms à 5,6A, 10V |
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Substituts (3)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFP12N65X2M | IXYS | 273 | IXFP12N65X2M-ND | 9,51000 $ | Similaire |
| IXTP12N65X2M | IXYS | 0 | IXTP12N65X2M-ND | 4,19357 $ | Similaire |
| TK11A65W,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | 37 | TK11A65WS5X-ND | 3,46000 $ | Similaire |
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Tous les prix sont en CAD
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 6,38000 $ | 6,38 $ |
| 50 | 3,19060 $ | 159,53 $ |
| 100 | 2,88170 $ | 288,17 $ |
| 500 | 2,34016 $ | 1 170,08 $ |
| 1 000 | 2,16618 $ | 2 166,18 $ |
| 2 000 | 2,01993 $ | 4 039,86 $ |
| 5 000 | 1,86180 $ | 9 309,00 $ |
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