
IPA80R650CEXKSA2 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPA80R650CEXKSA2-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPA80R650CEXKSA2 |
Description | MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3F |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 800 V 8 A (Ta) 33W (Tc) Trou traversant TO-220-3F |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPA80R650CEXKSA2 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,9V à 470µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 45 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1100 pF @ 100 V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Dissipation de puissance (max.) 33W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 800 V | Boîtier fournisseur TO-220-3F |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 650mohms à 5,1A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| STF9NM60N | STMicroelectronics | 1 359 | 497-12591-5-ND | 5,13000 $ | Similaire |
| TK9A60D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | 22 | TK9A60D(STA4QM)-ND | 4,54000 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 4,54000 $ | 4,54 $ |
| 50 | 2,24600 $ | 112,30 $ |
| 100 | 2,02210 $ | 202,21 $ |
| 500 | 1,62952 $ | 814,76 $ |
| 1 000 | 1,50332 $ | 1 503,32 $ |
| 2 000 | 1,39724 $ | 2 794,48 $ |
| 5 000 | 1,28251 $ | 6 412,55 $ |
| 10 000 | 1,25940 $ | 12 594,00 $ |








