Name: IPA80R1K4P7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPA80R1K4P7XKSA1-ND
Price: 2.9 CAD
Availability: InStock

Canal N 800 V 4 A (Tc) 24W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3-31

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IPA80R1K4P7XKSA1
Numéro de produit DigiKey	IPA80R1K4P7XKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPA80R1K4P7XKSA1
Description	MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3F
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	29 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 800 V 4 A (Tc) 24W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3-31
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPA80R1K4P7XKSA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 700µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 10 nC @ 10 V
Série CoolMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 250 pF @ 500 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 24W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 800 V	Boîtier fournisseur PG-TO220-3-31
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4 A (Tc)	Boîtier Boîtier complet TO-220-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPA80R1
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,4ohms à 1,4A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 480

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	2,90000 $	2,90 $
50	1,38140 $	69,07 $
100	1,23360 $	123,36 $
500	0,97410 $	487,05 $
1 000	0,89060 $	890,60 $
2 000	0,82036 $	1 640,72 $
5 000	0,74437 $	3 721,85 $
10 000	0,69744 $	6 974,40 $

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.

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