Name: IPA65R190CFDXKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPA65R190CFDXKSA2-ND
Price: 6.02 CAD
Availability: InStock

Canal N 650 V 17,5 A (Tc) 34W (Tc) Trou traversant PG-TO220-FP

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IPA65R190CFDXKSA2
Numéro de produit DigiKey	448-IPA65R190CFDXKSA2-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPA65R190CFDXKSA2
Description	MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	27 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 17,5 A (Tc) 34W (Tc) Trou traversant PG-TO220-FP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPA65R190CFDXKSA2 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 700µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 68 nC @ 10 V
Série CoolMOS™ CFD2	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1850 pF @ 100 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 34W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Boîtier fournisseur PG-TO220-FP
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 17,5 A (Tc)	Boîtier Boîtier complet TO-220-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPA65R
Rds On (max.) à Id, Vgs 190mohms à 7,3 A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 554

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	6,02000 $	6,02 $
50	3,04440 $	152,22 $
100	2,75550 $	275,55 $
500	2,24912 $	1 124,56 $
1 000	2,08647 $	2 086,47 $
2 000	1,94975 $	3 899,50 $
5 000	1,84694 $	9 234,70 $

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.

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