IPA029N06NM5SXKSA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

IPA029N06NM5SXKSA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Recommandation fabricant

Infineon Technologies

En stock: 292

Prix unitaire : 5,82000 $

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IPA029N06NM5SXKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPA029N06NM5SXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPA029N06NM5SXKSA1
Description	MOSFET N-CH 60V 87A TO220
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 87 A (Tc) 38W (Tc) Trou traversant Boîtier complet PG-TO220
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPA029N06NM5SXKSA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,3V à 36µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 74 nC @ 10 V
Série OptiMOS™ 5	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5300 pF @ 30 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 38W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Boîtier fournisseur Boîtier complet PG-TO220
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 87 A (Tc)	Boîtier Boîtier complet TO-220-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base IPA029
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,9mohms à 87A, 10V