Canal N 1200 V 38 A (Tc) 182W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-17
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Canal N 1200 V 38 A (Tc) 182W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-17
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R053M2HXKSA1

Numéro de produit DigiKey
448-IMZC120R053M2HXKSA1-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IMZC120R053M2HXKSA1
Description
SICFET N-CH 1200V 38A TO247
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
54 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 1200 V 38 A (Tc) 182W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-17
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IMZC120R053M2HXKSA1 Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Rds On (max.) à Id, Vgs
53mohms à 13A, 18V
Fabricant
Vgs(th) (max.) à Id
5,1V à 4,1mA
Série
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
30 nC @ 18 V
Conditionnement
Tube
Vgs (max.)
+23V, -7V
Statut du composant
Actif
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1010 pF @ 800 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
182W (Tc)
Technologies
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
1200 V
Type de montage
Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
PG-TO247-4-17
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
15V, 18V
Boîtier
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 362
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Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
118,28000 $18,28 $
3010,76600 $322,98 $
1209,11683 $1 094,02 $
5107,90918 $4 033,68 $
1 0207,46880 $7 618,18 $
2 0107,10605 $14 283,16 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.