
IMZA75R027M1HXKSA1 | |
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Numéro de produit DigiKey | 448-IMZA75R027M1HXKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IMZA75R027M1HXKSA1 |
Description | SILICON CARBIDE MOSFET |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 750 V 60A (Tj) 234W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4 |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5,6V à 8,8mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 49 nC @ 18 V |
Série | Vgs (max.) +23V, -5V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1668 pF @ 500 V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Dissipation de puissance (max.) 234W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 750 V | Boîtier fournisseur PG-TO247-4 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 20V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 25mohms à 24,5A, 20V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
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| AIMZA75R027M1HXKSA1 | Infineon Technologies | 206 | 448-AIMZA75R027M1HXKSA1-ND | 26,00000 $ | Équivalent paramétrique |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 24,55000 $ | 24,55 $ |
| 30 | 15,03533 $ | 451,06 $ |
| 120 | 12,95025 $ | 1 554,03 $ |
| 510 | 11,91825 $ | 6 078,31 $ |


