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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IMZA75R016M1HXKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 448-IMZA75R016M1HXKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IMZA75R016M1HXKSA1 |
Description | SILICON CARBIDE MOSFET |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 750 V 89A (Tj) 319W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5,6V à 14,9mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 81 nC @ 18 V |
Série | Vgs (max.) +23V, -5V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2869 pF @ 500 V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Dissipation de puissance (max.) 319W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 750 V | Boîtier fournisseur PG-TO247-4 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 20V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 15mohms à 41,5A, 20V |
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Documents et supports
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 33,22000 $ | 33,22 $ |
| 30 | 20,88333 $ | 626,50 $ |
| 120 | 18,18650 $ | 2 182,38 $ |
| 510 | 17,57324 $ | 8 962,35 $ |
