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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IMZA65R040M2HXKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 448-IMZA65R040M2HXKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IMZA65R040M2HXKSA1 |
Description | SILICON CARBIDE MOSFET |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | cms-lead-weeks-value |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 46 A (Tc) 172W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5,6V à 4,6mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 28 nC @ 18 V |
Série | Vgs (max.) +23V, -7V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 997 pF @ 400 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 172W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur PG-TO247-4-8 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 20V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 36mohms à 22,9A, 20V |
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Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 15,43000 $ | 15,43 $ |
| 30 | 9,07567 $ | 272,27 $ |
| 120 | 7,68142 $ | 921,77 $ |
| 510 | 6,66024 $ | 3 396,72 $ |
| 1 020 | 6,49759 $ | 6 627,54 $ |
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