
IMZA65R007M2HXKSA1 | |
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Numéro de produit DigiKey | 448-IMZA65R007M2HXKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IMZA65R007M2HXKSA1 |
Description | SILICON CARBIDE MOSFET |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | cms-lead-weeks-value |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 210 A (Tc) 625W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-U02 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IMZA65R007M2HXKSA1 cms-models |
Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 6,1mohms à 146,3A, 20V |
Fabricant | Vgs(th) (max.) à Id 5,6V à 29,7mA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 179 nC @ 18 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) +23V, -7V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6359 pF @ 400 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 625W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur PG-TO247-4-U02 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 20V | Boîtier |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 48,27000 $ | 48,27 $ |
| 30 | 31,36667 $ | 941,00 $ |
| 120 | 28,23008 $ | 3 387,61 $ |







