
IMW120R350M1HXKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IMW120R350M1HXKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IMW120R350M1HXKSA1 |
Description | SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 26 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 1200 V 4,7 A (Tc) 60W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-41 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IMW120R350M1HXKSA1 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 1200 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 15V, 18V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 455mohms à 2A, 18V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 5,7V à 1mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 5.3 nC @ 18 V | |
Vgs (max.) | +23V, -7V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 182 pF @ 800 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 60W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Trou traversant | |
Boîtier fournisseur | PG-TO247-3-41 | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 8,30000 $ | 8,30 $ |
| 30 | 4,69333 $ | 140,80 $ |
| 120 | 3,89867 $ | 467,84 $ |
| 510 | 3,31594 $ | 1 691,13 $ |
| 1 020 | 3,28648 $ | 3 352,21 $ |









