Name: IMT65R50M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R50M2HXUMA1TR-ND
Price: 11.22 CAD
Availability: InStock

Nouveau produit

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IMT65R50M2HXUMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IMT65R50M2HXUMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IMT65R50M2HXUMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IMT65R50M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMT65R50M2HXUMA1
Description	SICFET N-CH 650V 48.1A PG-HSOF
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	13 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 48,1A (Tc) 237W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-8-2
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IMT65R50M2HXUMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolSiC™ G2
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	48,1A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	15V, 18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	62mohms à 18,2A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	5,6V à 3,7mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	22 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	790 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	237W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-HSOF-8-2
Boîtier	8-PowerSFN