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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IMT65R075M2HXUMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 448-IMT65R075M2HXUMA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IMT65R075M2HXUMA1 |
Description | SICFET N-CH 650V 33.7A HSOF-8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 61 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 33,7A (Tc) 178W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5,6V à 2,4mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 14.9 nC @ 18 V |
Série | Vgs (max.) +25V, -10V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 516 pF @ 400 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 178W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur PG-HSOF-8 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 20V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 95mohms à 11,9A, 18V |
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Documents et supports
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Ressources supplémentaires
En stock: 2 000
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 10,86000 $ | 10,86 $ |
| 10 | 7,24500 $ | 72,45 $ |
| 100 | 5,20040 $ | 520,04 $ |
| 500 | 4,32872 $ | 2 164,36 $ |
| 1 000 | 4,04892 $ | 4 048,92 $ |
| 2 000 | 3,81383 $ | 7 627,66 $ |
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