Name: IMT65R040M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R040M2HXUMA1TR-ND
Price: 13.08 CAD
Availability: OutOfStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IMT65R040M2HXUMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IMT65R040M2HXUMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IMT65R040M2HXUMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IMT65R040M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMT65R040M2HXUMA1
Description	SILICON CARBIDE MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 58,7A (Tc) 277W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-8-2
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 36mohms à 22,9A, 20V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 5,6V à 4,6mA
Série CoolSiC™	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 28 nC @ 18 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) +23V, -7V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 997 pF @ 400 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 277W (Tc)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 58,7A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-HSOF-8-2
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V, 20V	Boîtier 8-PowerSFN