Name: IMDQ75R090M1HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMDQ75R090M1HXUMA1TR-ND
Price: 9.42 CAD
Availability: InStock

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IMDQ75R090M1HXUMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IMDQ75R090M1HXUMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IMDQ75R090M1HXUMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IMDQ75R090M1HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMDQ75R090M1HXUMA1
Description	IMDQ75R090M1HXUMA1
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	23 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 750 V 24A (Tj) 128W (Tc) Montage en surface PG-HDSOP-22-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IMDQ75R090M1HXUMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolSiC™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	750 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	24A (Tj)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	15V, 20V
Rds On (max.) à Id, Vgs	83mohms à 7,4A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id	5,6V à 2,6mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	15 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+20V, -2V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	542 pF @ 500 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	128W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-HDSOP-22-1
Boîtier	Module 22-PowerBSOP