Name: IGT65R035D2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGT65R035D2ATMA1TR-ND
Price: 14.9 CAD
Availability: InStock

Nouveau produit

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IGT65R035D2ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IGT65R035D2ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IGT65R035D2ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IGT65R035D2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IGT65R035D2ATMA1
Description	HV GAN DISCRETES
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 49 A (Tc) 167W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IGT65R035D2ATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolGaN™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	GaNFET (nitrure de gallium)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	49 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	-
Rds On (max.) à Id, Vgs	-
Vgs(th) (max.) à Id	1,6V à 4,2mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	7.7 nC @ 3 V
Vgs (max.)	-10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	540 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	167W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-HSOF-8
Boîtier	8-PowerSFN