Name: IGL65R080D2XUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGL65R080D2XUMA1TR-ND
Price: 8.21 CAD
Availability: InStock

Nouveau produit

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IGL65R080D2XUMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IGL65R080D2XUMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IGL65R080D2XUMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IGL65R080D2XUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IGL65R080D2XUMA1
Description	IGL65R080D2XUMA1
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 18 A (Tc) 81W (Tc) Montage en surface, joints de brasure visibles PG-TSON-8-U06
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolGaN™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	GaNFET (nitrure de gallium)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	18 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	-
Rds On (max.) à Id, Vgs	-
Vgs(th) (max.) à Id	1,6V à 1,8mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	3.3 nC @ 3 V
Vgs (max.)	-10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	240 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	81W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface, joints de brasure visibles
Boîtier fournisseur	PG-TSON-8-U06
Boîtier	8-TDFN plot exposé