Name: IGB110S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND
Price: 3.35 CAD
Availability: OutOfStock

Nouveau produit

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IGB110S10S1XTMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IGB110S10S1XTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IGB110S10S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IGB110S10S1XTMA1
Description	MV GAN DISCRETES
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 9 A (Ta), 23 A (Tc) 2,5W (Ta), 15W (Tc) Montage en surface PG-TSON-4-2
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IGB110S10S1XTMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolGaN™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	GaNFET (nitrure de gallium)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	9 A (Ta), 23 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	11mohms à 10A, 5V
Vgs(th) (max.) à Id	2,9V à 3mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	3.4 nC @ 5 V
Vgs (max.)	±6,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	340 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Ta), 15W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TSON-4-2
Boîtier	4-PowerTDFN