Name: IDH04G65C5XKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IDH04G65C5XKSA2-ND
Price: 3.52 CAD
Availability: InStock

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IDH04G65C5XKSA2
Numéro de produit DigiKey	IDH04G65C5XKSA2-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IDH04G65C5XKSA2
Description	DIODE SIL CARB 650V 4A PGTO2201
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Diode 650 V 4A Trou traversant PG-TO220-2-1
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Diodes Redresseurs Diodes simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolSiC™+
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Technologies	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)	650 V
Courant - Moyen redressé (Io)	4A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If	1.7 V @ 4 A
Vitesse	Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)	0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr	70 µA @ 650 V
Capacité à Vr, F	130pF à 1V, 1MHz
Type de montage	Trou traversant
Boîtier	TO-220-2
Boîtier fournisseur	PG-TO220-2-1
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 175°C
Numéro de produit de base	IDH04G65

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	3,52000 $	3,52 $
50	1,71260 $	85,63 $
100	1,53730 $	153,73 $
500	1,22994 $	614,97 $
1 000	1,13111 $	1 131,11 $
2 000	1,04802 $	2 096,04 $
5 000	0,98093 $	4 904,65 $

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.