Diode 650 V 4A Trou traversant PG-TO220-2-1
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IDH04G65C5XKSA2

Numéro de produit DigiKey
IDH04G65C5XKSA2-ND
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IDH04G65C5XKSA2
Description
DIODE SIL CARB 650V 4A PGTO2201
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
61 semaines
Référence client
Description détaillée
Diode 650 V 4A Trou traversant PG-TO220-2-1
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
CoolSiC™+
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Technologies
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
650 V
Courant - Moyen redressé (Io)
4A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.7 V @ 4 A
Vitesse
Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
70 µA @ 650 V
Capacité à Vr, F
130pF à 1V, 1MHz
Type de montage
Trou traversant
Boîtier
TO-220-2
Boîtier fournisseur
PG-TO220-2-1
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 175°C
Numéro de produit de base
IDH04G65
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En stock: 1 539
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
13,36000 $3,36 $
501,64060 $82,03 $
1001,47240 $147,24 $
5001,17706 $588,53 $
1 0001,08210 $1 082,10 $
2 0001,00226 $2 004,52 $
5 0000,93476 $4 673,80 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
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