TO-220-2
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IDH02G120C5XKSA1

Numéro de produit DigiKey
IDH02G120C5XKSA1-ND
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IDH02G120C5XKSA1
Description
DIODE SIL CARB 1200V 2A PGTO2201
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
26 semaines
Référence client
Description détaillée
Diode 1200 V 2A Trou traversant PG-TO220-2-1
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IDH02G120C5XKSA1 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
CoolSiC™+
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Technologies
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
1200 V
Courant - Moyen redressé (Io)
2A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.65 V @ 2 A
Vitesse
Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
18 µA @ 1200 V
Capacité à Vr, F
182pF à 1V, 1MHz
Type de montage
Trou traversant
Boîtier
TO-220-2
Boîtier fournisseur
PG-TO220-2-1
Température de fonctionnement - Jonction
175°C (maxi)
Numéro de produit de base
IDH02G120
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En stock: 1 249
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
14,26000 $4,26 $
502,10720 $105,36 $
1001,89830 $189,83 $
5001,53208 $766,04 $
1 0001,41438 $1 414,38 $
2 0001,31544 $2 630,88 $
5 0001,27658 $6 382,90 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.