Name: IAUZN08S7N046ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUZN08S7N046ATMA1TR-ND
Price: 3.73 CAD
Availability: InStock

Nouveau produit

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IAUZN08S7N046ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IAUZN08S7N046ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IAUZN08S7N046ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IAUZN08S7N046ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IAUZN08S7N046ATMA1
Description	MOSFET N-CH 80V 99A TSDSON-8-39
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	35 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 99A (Tj) 94W (Tc) Montage en surface PG-TSDSON-8-39
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IAUZN08S7N046ATMA1 Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,2V à 35µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 35.4 nC @ 10 V
Série OptiMOS™ 7	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2265 pF @ 40 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 94W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 99A (Tj)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 7V, 10V	Boîtier fournisseur PG-TSDSON-8-39
Rds On (max.) à Id, Vgs 4,6mohms à 30A, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN