Name: IAUZN04S7L012ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUZN04S7L012ATMA1TR-ND
Price: 3.6 CAD
Availability: InStock

Nouveau produit

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IAUZN04S7L012ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IAUZN04S7L012ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IAUZN04S7L012ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IAUZN04S7L012ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IAUZN04S7L012ATMA1
Description	MOSFET_(20V 40V)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	35 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 199A (Tj) 94W (Tc) Montage en surface PG-TSDSON-8-39
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1,8V à 35µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 55 nC @ 10 V
Série OptiMOS™ 7	Vgs (max.) ±16V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3686 pF @ 20 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 94W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 199A (Tj)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier fournisseur PG-TSDSON-8-39
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,25mohms à 30A, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN