Name: IAUTN06S5N008ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUTN06S5N008ATMA1TR-ND
Price: 9.42 CAD
Availability: InStock

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IAUTN06S5N008ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IAUTN06S5N008ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IAUTN06S5N008ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IAUTN06S5N008ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IAUTN06S5N008ATMA1
Description	MOSFET_)40V 60V)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 60A (Ta), 350A (Tj) 258W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-8-1
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ 5
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	60A (Ta), 350A (Tj)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	7V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	0,76mohms à 100A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 275µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	273 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	20280 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	258W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-HSOF-8-1
Boîtier	8-PowerSFN