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IAUS200N08S5N023ATMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IAUS200N08S5N023ATMA1TR-ND - Bande et bobine IAUS200N08S5N023ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IAUS200N08S5N023ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IAUS200N08S5N023ATMA1 |
Description | MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 27 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 80 V 200 A (Tc) 200W (Tc) Montage en surface PG-HSOG-8-1 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IAUS200N08S5N023ATMA1 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 110 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7670 pF @ 40 V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Dissipation de puissance (max.) 200W (Tc) |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de FET | Grade Automobile |
Technologies | Qualification AEC-Q101 |
Tension drain-source (Vdss) 80 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur PG-HSOG-8-1 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,3mohms à 100A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 3,8V à 130µA |
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Substituts (1)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IAUS300N08S5N012ATMA1 | Infineon Technologies | 3 585 | IAUS300N08S5N012ATMA1CT-ND | 6,62000 $ | Direct |
En stock: 306
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 7,25000 $ | 7,25 $ |
| 10 | 4,79000 $ | 47,90 $ |
| 100 | 3,38650 $ | 338,65 $ |
| 500 | 2,90958 $ | 1 454,79 $ |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 800 | 2,45654 $ | 4 421,77 $ |
| 3 600 | 2,37711 $ | 8 557,60 $ |
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