Name: IAUCN08S7N019ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN08S7N019ATMA1TR-ND
Price: 5.82 CAD
Availability: InStock

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IAUCN08S7N019ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IAUCN08S7N019ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IAUCN08S7N019ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IAUCN08S7N019ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IAUCN08S7N019ATMA1
Description	MOSFET_(75V 120V(
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	35 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 175A Montage en surface PG-TDSON-8-43
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IAUCN08S7N019ATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 19 nC @ 10 V
Série OptiMOS™ 7	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Grade Automobile
Statut du composant Actif	Qualification AEC-Q101
Type de FET Canal N	Type de montage Montage en surface
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Boîtier fournisseur PG-TDSON-8-43
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Boîtier 8-PowerTDFN
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 175A