Name: IAUCN04S6N009TATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN04S6N009TATMA1TR-ND
Price: 5.24 CAD
Availability: InStock

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IAUCN04S6N009TATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IAUCN04S6N009TATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IAUCN04S6N009TATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IAUCN04S6N009TATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IAUCN04S6N009TATMA1
Description	MOSFET_(20V 40V)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	35 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 330A (Tj) 178W (Tc) Montage en surface PG-LHDSO-10-2
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IAUCN04S6N009TATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 104 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série OptiMOS™ 6	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7345 pF @ 25 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 178W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 330A (Tj)	Boîtier fournisseur PG-LHDSO-10-2
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 7V, 10V	Boîtier 10-LSOP (0,209po, 5,30mm de largeur) plot exposé
Rds On (max.) à Id, Vgs 0,89mohms à 60A, 10V	Numéro de produit de base IAUCN04
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 90µA