Name: IAUC120N04S6N009ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUC120N04S6N009ATMA1TR-ND
Price: 4.57 CAD
Availability: OutOfStock

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IAUC120N04S6N009ATMA1
Numéro de produit DigiKey	IAUC120N04S6N009ATMA1TR-ND - Bande et bobine IAUC120N04S6N009ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IAUC120N04S6N009ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IAUC120N04S6N009ATMA1
Description	MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	35 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 120 A (Tc) 150W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8-33
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IAUC120N04S6N009ATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 115 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série OptiMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7360 pF @ 25 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 150W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TDSON-8-33
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 7V, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 0,9mohms à 60A, 10V	Numéro de produit de base IAUC120
Vgs(th) (max.) à Id 3,4V à 90µA