Name: IAUC100N04S6L020ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUC100N04S6L020ATMA1TR-ND
Price: 2.44 CAD
Availability: InStock

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IAUC100N04S6L020ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IAUC100N04S6L020ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IAUC100N04S6L020ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IAUC100N04S6L020ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IAUC100N04S6L020ATMA1
Description	IAUC100N04S6L020ATMA1
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 100 A (Tc) 75W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IAUC100N04S6L020ATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	100 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,04mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 32µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	46 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2744 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	75W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TDSON-8
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	IAUC100