IGBT Module À tranchées à champ limité Onduleur en demi-pont 1200 V 225 A 780 W Montage sur châssis Module
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IGBT Module À tranchées à champ limité Onduleur en demi-pont 1200 V 225 A 780 W Montage sur châssis Module
FF150R12KE3GB2HOSA1

FF150R12KE3GB2HOSA1

Numéro de produit DigiKey
448-FF150R12KE3GB2HOSA1-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
FF150R12KE3GB2HOSA1
Description
IGBT MOD 1200V 225A 780W MOD
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
21 semaines
Référence client
Description détaillée
IGBT Module À tranchées à champ limité Onduleur en demi-pont 1200 V 225 A 780 W Montage sur châssis Module
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vce(on) (max.) à Vge, Ic
2,15V à 15V, 150A
Fabricant
Infineon Technologies
Courant - Résiduel de collecteur (max.)
5 mA
Série
Capacité d'entrée (Cies) à Vce
11 nF @ 25 V
Conditionnement
Plateau
Entrée
Standard
Statut du composant
Actif
Thermistance CTN
Non
Type d'IGBT
À tranchées à champ limité
Température de fonctionnement
-40°C ~ 125°C (TJ)
Configuration
Onduleur en demi-pont
Type de montage
Montage sur châssis
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
1200 V
Boîtier
Module
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
225 A
Boîtier fournisseur
Module
Puissance - Max.
780 W
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 25
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Tous les prix sont en CAD
Plateau
Quantité Prix unitaire Prix total
1165,23000 $165,23 $
10130,64500 $1 306,45 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.