Name: BSS225H6327FTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS225H6327FTSA1TR-ND
Price: 1.32 CAD
Availability: InStock

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BSS225H6327FTSA1
Numéro de produit DigiKey	BSS225H6327FTSA1TR-ND - Bande et bobine BSS225H6327FTSA1CT-ND - Bande coupée (CT) BSS225H6327FTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSS225H6327FTSA1
Description	MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 90mA (Ta) 1W (Ta) Montage en surface PG-SOT89
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSS225H6327FTSA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 5.8 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série SIPMOS®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 131 pF @ 25 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 1W (Ta)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 600 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 90mA (Ta)	Boîtier fournisseur PG-SOT89
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier TO-243AA
Rds On (max.) à Id, Vgs 45ohms à 90mA, 10V	Numéro de produit de base BSS225
Vgs(th) (max.) à Id 2,3V à 94µA