BSC430N25NSFDATMA1 Infineon Technologies | Produits semi-conducteurs discrets

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BSC430N25NSFDATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-BSC430N25NSFDATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-BSC430N25NSFDATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-BSC430N25NSFDATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSC430N25NSFDATMA1
Description	MOSFET N-CH 250V TSON-8
Référence client
Description détaillée	Canal N 250 V 36 A (Tc) Montage en surface PG-TSON-8-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSC430N25NSFDATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ FD
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	En fin de cycle chez Digi-Key
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	250 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	36 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	-
Rds On (max.) à Id, Vgs	-
Vgs(th) (max.) à Id	-
Vgs (max.)	±20V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	-
Température de fonctionnement	-
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TSON-8-3
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	BSC430

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Quantité

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Bande coupée (CT)