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BSC159N10LSFGATMA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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BSC159N10LSFGATMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | BSC159N10LSFGATMA1TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | BSC159N10LSFGATMA1 |
Description | MOSFET N-CH 100V 9.4A/63A TDSON |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 9,4 A (Ta), 63 A (Tc) 114W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8-1 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | BSC159N10LSFGATMA1 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,4V à 72µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 35 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2500 pF @ 50 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 114W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 100 V | Boîtier fournisseur PG-TDSON-8-1 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 15,9mohms à 50A, 10V |
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Substituts (7)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| BSC146N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies | 11 408 | 448-BSC146N10LS5ATMA1CT-ND | 1,93000 $ | Recommandation fabricant |
| BSC123N10LSGATMA1 | Infineon Technologies | 2 857 | BSC123N10LSGATMA1CT-ND | 4,36000 $ | Similaire |
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