Name: BSC042NE7NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC042NE7NS3GATMA1TR-ND
Price: 5.19 CAD
Availability: InStock

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BSC042NE7NS3GATMA1
Numéro de produit DigiKey	BSC042NE7NS3GATMA1TR-ND - Bande et bobine BSC042NE7NS3GATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) BSC042NE7NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSC042NE7NS3GATMA1
Description	MOSFET N-CH 75V 19A/100A TDSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 75 V 19 A (Ta), 100 A (Tc) 2,5W (Ta), 125W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSC042NE7NS3GATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Category Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,8V à 91µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 69 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4800 pF @ 37.5 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta), 125W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 75 V	Boîtier fournisseur PG-TDSON-8-1
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 19 A (Ta), 100 A (Tc)	Boîtier 8-PowerTDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base BSC042
Rds On (max.) à Id, Vgs 4,2mohms à 50A, 10V