Name: BSB056N10NN3GXUMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSB056N10NN3GXUMA2TR-ND
Price: 1.74664 CAD
Availability: OutOfStock

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Infineon Technologies

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BSB056N10NN3GXUMA2
Numéro de produit DigiKey	448-BSB056N10NN3GXUMA2TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSB056N10NN3GXUMA2
Description	TRENCH >=100V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 9 A (Ta), 83 A (Tc) 2,8W (Ta), 78W (Tc) Montage en surface MG-WDSON-5-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSB056N10NN3GXUMA2 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	9 A (Ta), 83 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	5,6mohms à 30 A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 100µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	74 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	5500 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,8W (Ta), 78W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	MG-WDSON-5-3
Boîtier	DirectFET™ Isometric MN

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Bande et bobine